为贯彻落实习近平总书记在党史学习教育动员大会上的重要讲话精神，促进国内外材料领域学者间的学术交流，推动材料学科的创新发展，2021年4月26日上午，第五届材料微结构与性能学术会议在杭州西溪宾馆顺利开幕，共有来自全国100余所高校和研究所的近300名师生前来参会。

  浙江大学党委副书记邬小撑作为校领导代表在开幕伊始发表了致辞，介绍了浙江大学材料学院的发展史，强调了材料科学研究的重要性，随后，浙江大学材料学院学术委员会主任、大会主席叶志镇院士发表致辞，对参会人员的到来表示热烈欢迎。开幕式由浙大材料学院院长、浙江省材料研究学会理事长、大会共同主席韩高荣主持，他向远道而来的朋友们表示热烈的欢迎和感谢。

浙江大学党委副书记邬小撑开幕致辞

大会主席叶志镇院士致辞

浙江大学材料学院韩高荣院长主持开幕式

        开幕式之后，浙大发展委员会主席、杨卫院士，著名材料科学专家、西安交通大学马恩教授，清华大学材料学院院长林元华教授和大会主席叶志镇院士四位重量级嘉宾从材料学科发展、学生培养和科研成果等方面做出了精彩的报告，现场师生反响热烈。

本次大会共分为三个分论坛：材料表征与计算分论坛、无机光电材料分论坛和材料学科建设与发展分论坛。材料表征与计算分论坛由浙江大学电镜中心主任王勇教授主持。重庆大学黄晓旭教授、中科院金属所张哲峰研究员、浙江大学交叉力学中心王宏涛教授、中科院金属所马秀良研究员、北科大的王荣明教授、中科院物理所的谷林研究员、中科院物理所的白雪冬教授、孙立涛教授、王竹君研究员、朱艺涵教授、来自主办方浙江大学的王勇教授、田鹤教授、余倩研究员、王江伟研究员带来了精彩报告。材料学科建设与发展分论坛围绕学科建设和人才培养两个主题展开。学科建设会场由武汉理工大学张联盟院士、上海交通大学材料科学与工程学院孙宝德院长、复旦大学材料学系系主任孙大林教授、浙江大学材料科学与工程学院韩高荣院长等共同主持，人才培养分会场由教育部高等学校材料类专业教学指导委员会副主任、天津大学教授赵乃勤和教育部高等学校材料类专业教学指导委员会秘书长、哈尔滨工业大学材料学院院长耿林、浙江大学材料学院副院长朱铁军主持。

无机光电材料分论坛由叶志镇院士担任主席、浙江大学材料科学与工程学院半导体材料研究所薄膜材料课题组负责组织。分论坛于2021年4月26日下午召开，会议伊始，材料科学姑苏实验室主任杨辉研究员带来题为《氮化镓表面形貌演变规律的研究》的报告，分享了团队在氮化镓生长形貌调控技术上的最新研究进展。平整光滑表面形貌对于高质量氮化物材料的生长十分重要。杨辉教授团队通过对表面形貌产生的原因进行分析，通过控制生长条件改变表面的E-S势垒高度，从而实现对生长形貌的调控。随后，湖南大学潘安练教授进行了题为《低维半导体光电调控与集成》的报告，介绍了低维半导体能带精确调控和异质结气相外延生长的普适方法，低维半导体光子与光电集成研究，是新型光电信息材料与技术研究的重要内容，是发展下一代高性能光子芯片核心基础，先后发展了低维半导体微纳尺度能带精确调控和异质结气相外延生长的普适方法，在一维纳米线和二维原子晶体材料体系得到普遍推广和应用，同时实现了材料与器件中载流子与光子行为调控，构建了面向集成的可见-红外微纳光源、电光调制器、高性能宽波段响应光电探测器及阵列等新型光子器件，有望进一步通过制备与集成技术创新，实现新型功能器件的片上集成与功能互联；中山大学黄丰教授以《宽禁带半导体材料中载流子调控的普适性原理探讨》为题，提出了适用于离子型化合物半导体的载流子调控普适性理论，即：载流子类型完全由材料的精细化学组分完整表达式来决定。该理论成功指导了高绝缘和高热稳定性的n型ZnO单晶以及高迁移率掺Al：ZnO薄膜的生长，并为高载流子浓度、高迁移率、高热稳定性p型ZnO的制备提供了新思路；中科院宁波材料所诸葛飞研究员围绕《全光控忆阻器》展示了团队在该领域的突破成果。目前报道的光电忆阻器，光只能实现器件电导的单向调控，双向可逆调控必须通过光和电信号结合，这极大限制了光电忆阻器的发展。诸葛飞研究员团队基于氧化物双层结构，突破了这个瓶颈，首次实现了全光控忆阻器。仅仅通过改变光的波长，就可实现忆阻器电导双向可逆调控，并且电导态可以保持。为忆阻器的研究和应用打开了一扇新窗口。此外，参会专家们也带来了精彩的主题报告，如深圳大学饶峰教授的《新型相变信息存储材料设计》提出了一种可实现9个稳定的多态存储，并在累积SET操作时器件电导呈现高一致性的相变异质结(Phase-change heterostructure，PCH)设计；浙江大学金一政研究员的《量子点电致发光材料和器件》提出针对性的发展载流子传输层的材料化学，设计新型器件结构，从而最终实现高性能三色QLED；燕山大学张利强教授的《原位透射电镜技术在全固态电池领域的应用》提出借助原位透射电子显微技术可以实时、直观地记录锂枝晶生长的微观变化过程，探索出了锂枝晶的抑制策略；湖南大学黄宏文教授的《用于氢燃料电池的新型贵金属纳米晶研究》讲述了课题组近年来在氢燃料电池方向的新型贵金属纳米晶催化剂的研究进展；宁波大学史力研究员的《二维材料上单原子催化中心的构筑及光催化CO₂还原研究》提出二维碲纳米片何黑磷纳米片是非常理想的载体材料用来制备单原子催化剂促进光催化CO₂还原反应；长沙理工大学龚丽副教授的《低温制作无空穴层、碳基全无机钙钛矿太阳能电池研究》讲述了围绕无空穴层、碳基全无机钙钛矿太阳能电池展开研究。参会嘉宾都踊跃提问，现场气氛活跃。茶歇之余，参会嘉宾们认真观看了会场外的展示墙报，并进行了交流，收获颇多。

材料科学姑苏实验室杨辉研究院作特邀报告

4月27日上午，北京大学沈波教授围绕《Si衬底上GaN的大失配异质外延及其缺陷工程》进行了精彩的报告，首先简要介绍GaN基宽禁带半导体, 特别是Si衬底上GaN基功率电子材料和器件的发展历程，然后对该领域面临的关键科学问题和技术瓶颈进行分析，接着重点报告近年来北京大学在Si衬底上GaN的大失配异质外延及其缺陷工程研究上取得的主要进展；随后，来自中科院合肥物质科学研究院的孟国文研究员以《光电功能一维纳米结构及其宏观阵列》为题，聚焦于有序多孔阳极氧化铝模板法，实现了纳米线的可控制备与精准组装；厦门大学的康俊勇教授以《AlGaN非平衡生长及其量子结构构建》为题，对高Al组分AlGaN量子结构进行了深入研究，基于第一性原理计算等技术构建多种高Al组分AlGaN量子结构；中科院上海微系统所的刘卫丽研究员带来题为《CMP纳米磨料和抛光液的制备及应用》的报告，从产业化的角度详细介绍了高纯纳米二氧化硅磨料的制备技术，包括纯化技术、粒径控制技术和表面改性技术等。此外，深圳大学曾昱嘉教授的《低维半导体光电磁性能的界面调控》提出团队所研究的表面修饰、掺杂技术大大拓展了二维锑烯材料的应用前景、浙江大学潘新花副教授的《ZnO/ZnMgO多量子阱制备及内量子效率提升》探讨载流子传输和复合的物理过程；分析量子阱结构参数对发光内量子效率的影响，设计合适的多量子阱结构实现对载流子的高效限制；浙江大学吕建国副研究员的《ZnO基半导体薄膜及透明柔性电子器件》讲述了ZnO:Al (AZO) 为典型的透明导电氧化物（TCO）和无In的非晶氧化物半导体（AOS）体系。报告之余，参会嘉宾与报告人展开了热切讨论，深入探讨学术问题，努力探索合作机会。

北京大学沈波教授作特邀报告

现场互动提问

        最后，分会主席叶志镇院士致辞，表达了对与会嘉宾们的感谢，高度称赞了本次会议所有报告的水平，充分肯定了会议的交流成果，并对会议组织者、工作人员和赞助商表示了感谢。至此，无机光电材料分论坛圆满闭幕。

无机光电论坛合影